非层状MnTe二维纳米片

厚度可控，导电率可调

通过外延生长获得高结晶质量MnTe纳米片，其导电性随厚度从p型半导体连续过渡至半金属，为多功能电子器件提供单片材料基础。

Mengfei, He · Chen, Chao · Yue, Tang · Si, Meng · Zunfa, Wang · Liyu, Wang · Jiabao, Xing · Xinyu, Zhang · Jiahui, Huang · 卢江波 · Jing, Hongmei · 刘翔宇 · 徐华

Acta Physico - Chimica Sinica 2025

具体参数

载流子迁移率（MnTe接触MoS₂ FET）
{'zh': '47.34', 'en': '47.34'} cm²·V⁻¹·s⁻¹
纳米片域尺寸范围
{'zh': '10-125', 'en': '10-125'} μm
生长温度范围
{'zh': '500-750', 'en': '500-750'} °C

技术优势

厚度可锁定

通过改变生长温度从500到750 °C，厚度从薄层过渡到厚片，域尺寸从10增大到125 μm。

一材多用

薄层MnTe呈现p型半导体特性适用于光探测，厚层呈现半金属特性可替代金电极提升器件性能。

晶圆级迁移率

厚层MnTe作为MoS₂ FET的接触电极，载流子迁移率达到47.34 cm²·V⁻¹·s⁻¹，约为金接触的3.7倍。

应用场景