VN₄单原子催化剂

合成氨低过电位

面向氮还原反应设计的高曲率氮掺杂石墨烯负载VN₄单原子催化剂,限速步电位仅0.31 V,优于大部分同类催化剂,同时抑制析氢副反应。

王金刚 · Li, Ning · Jiang, Yongjian · Sheng, Hao · 孙萌涛

Applied Surface Science 2024

参数信息

限速步电位
0.31 V
筛选候选催化剂数
5
候选模型总数
406

技术优势

电位低至0.31 V

VN₄(side-on)配位结构的限速步电位为0.31 V,优于多数已报道催化剂,有利于降低能耗。

抑制HER副反应

该催化剂能抑制竞争性析氢反应(HER),从而提高氮还原反应的选择性。

从406个模型中筛选

通过高通量筛选结合密度泛函理论计算,从406个模型中选出5种高性能候选催化剂,加速了催化剂发现过程。

应用场景