ReS₂浮栅存储器

超快多值存储

基于ReS₂/h-BN/石墨烯范德华异质结构的浮栅存储单元，兼具电学和光学可调的多值非易失存储行为。

王彦 · 刘静

ACS Nano 2024

参数信息

存储窗口

113.36 V

擦写电流比

10^7

操作速度

30 ns

耐久性

1000 cycles

保持时间

1100 s

技术优势

窗口够大

存储窗口达113.36 V，使阈值电压可被精细划分为大量电平，从而获得超过7 bits的多值存储能力。

快到30纳秒

写入/擦除操作可在30 ns内完成，满足高速数据吞吐需求。

应用场景

• 高密度存储：利用大窗口和10⁷电流比实现每单元超过7 bits的多值存储，直接提升单位面积容量。
• 神经形态计算：电学和光学多级状态可模拟突触权重，且30 ns操作速度支持高速训练与推理。
• 存算一体：非易失多值存储和原位光/电调控可实现数据存储与计算融合，减少数据搬运。
• 柔性显示存储：范德华异质结构超薄柔韧，有望作为柔性显示背板的存储单元集成。