Ge嵌入NbX₂单晶

电导率媲美铂

通过Ge插层在NbS₂中引入拓扑非平凡能带，实现远超同类金属性TMDs的超高电导率。

Han, Xue · Zhaolong, Liu · 郭中楠 · Feng, Xiaojing · 高岩 · 金士锋 · 袁文霞

Materials Chemistry Frontiers 2023

具体参数

电导率

6.83 × 10⁴ S cm⁻¹

载流子迁移率

83.40 cm² V⁻¹

技术优势

不饱和线性磁电阻

低温下未观察到负磁电阻