β-Ga2O3薄膜

氧空位更低

共格β-Ga2O3薄膜在SiC衬底上外延生长，氧空位浓度可调，结晶质量优异。

Xu, Bei · Hu, Jichao · 芦宾 · Jinhui, Yu · Zhihao, Yang · Zhang, Yue · He, Xiaomin · 董林鹏 · 蓬勃 · Wang, Xi · 李姚 · 杨勇 · 杨媛 · Daohua, Zhang · Ting, Hungkit · Hongbin, Pu

Vacuum 2026

参数信息

XRD摇摆曲线半高宽

1.17 °

光暗电流比

4.3×10³

比探测率

3.57×10¹¹ Jones

上升响应时间

0.20 s

衰减响应时间

0.43 s

技术优势

氧空位浓度可调

氧气/氩气流量比从低到高变化，氧空位浓度随之降低，为缺陷工程提供直接手段。

结晶质量最优

在10:200流量比下获得最小XRD摇摆曲线半高宽1.17°，表明晶体质量最佳。

探测性能优异

光电探测器比探测率达3.57×10¹¹ Jones，光暗电流比4.3×10³，可用于弱光探测。

应用场景

• 日盲紫外探测器：用于日盲紫外探测，高光暗比和比探测率提升弱信号识别能力。
• 深紫外传感：在254 nm深紫外光下响应快、探测率高，适用于深紫外传感。
• 弱光检测：比探测率高达3.57×10¹¹ Jones，可探测极微弱紫外光信号。