界面锂化更快更稳
石墨层有效抑制界面副反应，锂化由扩散主导，减少硅损失并提升循环可逆容量。
Bowen, Zhang · Ma, Teng · Niandong, He · 王长国 · 谭惠丰 · 韩杰才 · 刘远鹏
Acta Materialia 2025
石墨层减少了锂-硅直接接触，降低了界面反应，使锂化过程由扩散主导。
a-Si/石墨-I界面表现出最快的锂化速率，提升电极反应动力学。
石墨层限制硅原子向锂源扩散，促进致密锂化相形成，显著减少硅损失。