SAM栅介质碳纳米管FET

低覆盖度性能更优

用自组装分子单层替代传统栅介质，在碳纳米管随机网络中通过低表面覆盖度实现迁移率与开关比的更优平衡，打破了常规高覆盖度的认知。

Kiran Iqbal, Khan · Sattar, Abdul · Latif, Hamid · Irfan, Muhammad · Usman, Arslan D. · Hina, Mustafa · Amjad, Raja J. · Alvi, Farah

ACS Applied Electronic Materials 2023

技术优势

低表面覆盖度的CNTFET特性显著优于高表面覆盖度器件

DDT样品在低表面覆盖度下实现ION/IOFF与迁移率的最佳平衡

长链（DDT）和芳香族（BMT）SAM具有更高介电常数