多离子取代BiVO₄陶瓷

低温烧结稳频介质

通过多离子共掺杂实现单斜-四方相变，在2.46 GHz下兼顾低损耗与近零温度系数，适用于对热漂移敏感的通信器件。

李纯纯 · Deqin, Chen · Khaliq, Jibran

ACS Applied Materials & Interfaces 2025

具体参数

介电常数

{'zh': '66.98', 'en': '66.98'}

介电常数

{'zh': '19.85', 'en': '19.85'}

品质因数

{'zh': '7904', 'en': '7904'} GHz

品质因数

{'zh': '16240', 'en': '16240'} GHz

谐振频率温度系数

{'zh': '+8.42', 'en': '+8.42'} ppm/°C

回波损耗

{'zh': '-22.5', 'en': '-22.5'} dB

辐射效率

{'zh': '98.8', 'en': '98.8'} %

峰值增益

{'zh': '5.22', 'en': '5.22'} dB

技术优势

低温烧结

采用常规固相法在740~860°C即可成瓷，显著降低能耗与设备要求。

介电常数可调

通过改变取代量x，εr可在66.98至19.85之间连续调节，满足不同器件设计需求。

损耗显著降低

Qf值从7904 GHz提升至16240 GHz，表明微波介电损耗大幅下降。

温度稳定性好

在x=0.055处τf为+8.42 ppm/°C，接近零漂移，适合温度敏感应用。

应用场景

• 微波介质谐振器：低损耗与近零温漂的陶瓷可直接制作谐振器，提高频率稳定性。
• 5G/6G基站滤波器：Qf高、τf近零，满足基站滤波器对低插入损耗和温度稳定性的要求。
• 卫星通信天线：低损耗、可调介电常数适合制造高效率星载天线基板。
• 介电常数测试标样：介电常数和温度系数可精确调控，适合作为标定用参考材料。