环氧改性纳米孪晶铜

低温界面消除

键合界面晶粒在250°C即显著生长，300°C下完全消除原始界面，解决低温铜键合可靠性问题。

Lu, Yen Feng · Wang, Pei · Cheng, Yen Fu · Yu, Yen Ting · Wu, Yewchung Sermon

Nanomaterials 2024

参数信息

键合温度（界面消除）

300 °C

键合温度（显著界面生长）

250 °C

技术优势

界面能完全消除

300 °C键合时界面晶粒充分延伸，原始键合界面不复存在，从而消除引发可靠性问题的薄弱层。

250 °C就显著生长

即使在250 °C的低温下，界面晶粒也能显著生长进入两侧铜膜，表明扩散得到有效增强。

形成表面细晶

环氧树脂表面改性在纳米孪晶铜膜上形成细晶粒，为后续界面生长提供高密度晶界扩散通道。

应用场景

• 3D IC铜铜键合：在较低温度下获得无原始界面的高强度键合，提高三维集成可靠性。
• 先进封装：降低键合热预算，减少对器件的热损伤，提升封装良率。
• 微电子互连：消除弱界面，获得更可靠的铜互连接触。
• 半导体可靠性：通过消除键合弱界面，直接改善长期可靠性。
• 三维集成存储：低温键合工艺有利于堆叠存储芯片制造。