InSe/α-In₂Se₃铁电隧道结

隧穿电阻比4.2×10³%

利用n型半导体/铁电异质结界面电荷调制势垒，实现隧穿电阻的巨幅变化。

邹代峰

Journal of Physics Condensed Matter 2023

参数信息

隧穿电阻比可

4.20×10³ %

技术优势

基于n-InSe/α-In₂Se₃范德华异质结构