掺钇γ-InSe铁电半导体

室温双轴铁电

通过钇掺杂在γ-InSe中实现室温面内与面外铁电性，压电常数大幅提升，为范德华层状铁电半导体提供新候选。

Fengrui, Sui · Min, Jin · Yuanyuan, Zhang · 齐瑞娟 · Yu-Ning, Wu · Huang, Rong · 越方禹 · Junhao, Chu

Nature Communications 2023

具体参数

有效压电常数

约7.5 pm/V

厚度

约50 nm

技术优势

室温面内和面外铁电性

堆垛层错消除与轻微菱方畸变