AlGaN/GaN HFET

电子速度调制提升增益

采用电子速度调制机制，在低电子密度下有效增强AlGaN/GaN HFET的微波功率增益。

Wang, Mingyan · Lv, Yuanjie · Zhou, Heng · 刘超 · Cui, Peng · 林兆军

Applied Physics Letters 2024

具体参数

栅长从

500 nm

ns

< 3.42×10¹² cm⁻²

技术优势

更高的输出功率Pout源于增加的电子速度ve提升了饱和输出电流Ids,sat