两端SOT-GMR忆阻器件

单元集成存算

将数据存储与逻辑运算集成于单个两端自旋电子单元，以更小占位为缩放存内计算提供路径。

Jin, Tianli · 张波 · Eng Kang, Koh · Tan, Funan · Lee, Kok Xian · Chen, Ze · Lim, Gerard Joseph · Kaiming, Cai · Cao, Jiangwei · Lew, Wensiang

ACS Applied Materials & Interfaces 2025

具体参数

非易失电阻态数目
{'zh': '10', 'en': '10'}
手写数字识别精度
{'zh': '92', 'en': '92'} %

技术优势

占位面积更小

两端器件取代了三/四端器件，在同样面积内可集成更多单元，有利于存内计算阵列的扩展。

多电阻态可存更多信息

通过调节SOT电流幅值实现10个非易失电阻态，并可通过CoTb组分调控获得相反极性的更多状态，每个器件能表示更多数据。

突触可塑性具备

器件可通过电流脉冲实现长时程增强和抑制，模拟生物突触行为，适合直接用于神经形态计算。

逻辑功能内置

该器件不仅能存储，还能执行基本布尔逻辑运算，无需额外的逻辑单元即可进行存内计算。

应用场景