抗辐射加固SRAM单元

单双节点翻转自恢复

两种新型SRAM单元分别针对低功耗与高速优化，在保持自恢复能力的同时，功耗较现有设计降低24.59%，读延迟降低35.71%。

蔡烁 · Yan, Wen · Caicai, Xie · 王伟征 · 余飞

Integration, the VLSI Journal 2023

参数信息

平均功耗降低

24.59 %

读访问时间降低

35.71 %

写访问时间降低

24.14 %

技术优势

功耗降四分之一

利用双输入C单元结构的堆叠效应降低漏电，平均功耗比现有抗辐射SRAM设计低24.59%。

读访问快三分之一

HSDNUR采用NMOS与PMOS组合作为单节点数据传输管，增强电流驱动能力，读访问时间平均缩短35.71%。

单双节点翻转自恢复

两种单元均能自恢复，无需外部刷新或纠错即可从单节点和双节点翻转中恢复。

应用场景

• 航天电子：用于卫星、深空探测器的存储单元，抵抗空间辐射导致的单粒子翻转。
• 辐射环境可靠存储：提供抗辐射的存储IP，可直接集成到辐射环境下的芯片中。
• 卫星用集成电路：作为卫星用集成电路中的片上存储，降低功耗并提高访问速度。
• 高可靠内存：适合需要高可靠存储的系统，如关键任务设备，能够自恢复错误。
• 航空电子系统：用于航空电子系统中的存储单元，抵抗高空辐射并降低功耗。