硫掺杂BiVO₄(010)面

析氧过电位0.34 V

通过硫掺杂调控电子结构，增强含氧中间体在BiVO₄表面的吸附，显著提升光电析氧性能。

Qiu-Hong, Li · Zongxiang, Kang · Liwei, Guo · 胡经国 · 潘靖

Journal of Electroanalytical Chemistry 2023

具体参数

带隙从

2.22 eV

电子有效质量从

1.55 m

析氧过电位减小

0.34 V

技术优势

有效质量比从1.04减小至0.54