Cu掺杂Mn3O4

OER活性稳定性双升

四面体位点Cu掺杂优化Mn-O杂化,同时提升OER活性与稳定性。

Shaokai, Ma · Zihang, Cao · Yiran, Zhao · Zihao, Wang · 立瑛 · 徐学文 · Ma, Yuanhui · 薛彦明 · 唐成春 · 张军

Chemical Engineering Journal 2026

具体参数

过电位
{'zh': '393', 'en': '393'} mV
Tafel斜率
{'zh': '110', 'en': '110'} mV dec⁻¹
稳定性
{'zh': '130', 'en': '130'} h
电解槽电压
{'zh': '2.7', 'en': '2.7'} V

技术优势

过电位大降

Cu占据四面体位点增加Mn³⁺和氧空位,优化电子结构,使10 mA cm⁻²下过电位降至393 mV。

更耐用

强化Mn-O键稳定结构,使稳定性从35 h提升至130 h。

电解槽表现好

在AEMWE中300 mA cm⁻²下槽压2.7 V,且保持优异稳定性。

应用场景