硫掺杂三金属OER催化剂

过电位276 mV

核壳晶态-非晶异质界面优化电子结构，rGO导电基底促进高电流响应与活性位点充分暴露。

Lumin, Hong · Liu, Zhuangzhuang · Zhang, Xiaolin · Yanze, Xue · 黄华波 · 姜倩倩 · 唐建国

Journal of Alloys and Compounds 2024

参数信息

过电位

276 mV

Tafel斜率

52.2 mV·dec⁻¹

技术优势

降低析氧过电位

硫掺杂形成核壳晶态-非晶异质界面，优化电子结构，在10 mA·cm⁻²下过电位仅276 mV。

加速反应动力学

Tafel斜率低至52.2 mV·dec⁻¹，表明催化反应动力学快，有利于大电流密度操作。

促进电荷传输与分散

还原氧化石墨烯提供导电基底促进载流子迁移和高电流响应，同时抑制纳米颗粒团聚，使活性中心充分暴露。

应用场景

• 电解水制氢：作为高效析氧催化剂，降低电解水制氢的阳极过电位和能耗。
• 析氧反应电催化：替代贵金属催化剂，提供低成本高活性的析氧电催化材料。
• 可再生能源制氢：降低电解水制氢能耗，促进可再生能源转化为绿氢。
• 燃料电池：可为燃料电池提供高效析氧反应催化剂。