高阈值p-GaN栅HEMT

阈值逾3V

无需电路方案即可与Si/SiC器件同等易用，适合直接替换。

Ma, Yanfeng · Li, Sheng · Songwei, Peng · Fengxin, Ji · Hao, Yan · Lu, Weihao · Mingfei, Li · Tinggang, Zhu · Yiheng, Li · Wu, Leke · Ma, Jie · Ye, Ran · Wei, Jiaxing · Zhang, Long · Liu, Siyang · Sun, Weifeng

IEEE Transactions on Power Electronics 2026

参数信息

阈值电压
3 V
栅极击穿电压
20 V
反向导通压降
3 V

技术优势

芯片成本更低

无需集成额外电路，芯片面积和制造成本更低。

直接替换Si/SiC

栅极驱动方式与Si/SiC器件一致，无需修改驱动电路即可使用。

应用场景