微锥铜互连

免抛光低温键合

脉冲电沉积制备的微锥结构铜，无需化学机械抛光即可在250°C实现无焊料直接键合。

Zhang, Minghui · Gao, Liyin · Yu-Xi, Wang · Dong, Wei · 赵宁 · 刘智全

Applied Surface Science 2024

参数信息

剪切强度

116.4 MPa

键合温度

250 ℃

技术优势

免抛光键合

微锥结构替代了传统铜-铜键合前必需的化学机械抛光步骤，简化工艺流程并降低成本。

低温直接键合

在250 ℃条件下即可实现牢固的铜-铜直接键合，远低于传统热压键合温度，降低热预算。

高强度连接

高压键合下获得无缝界面，剪切强度达到116.4 MPa，证明连接可靠性高。

应用场景

• 先进封装：省去CMP工序，降低封装成本与工艺复杂度。
• 倒装芯片键合：微锥结构可直接压合实现连接，无需焊料凸点。
• 3D IC 集成：低温键合减少热应力，适合多层堆叠集成。
• 芯片互连：提供高剪切强度无焊料互连，提升可靠性。