单层WSe₂/铁磁异质结

压力调控激子跃迁

通过压力工程动态调控异质界面耦合，实现激子能量位移转变与声子边带的多级调制，为量子与光电子器件提供新途径。

Xing, Xie · Li, Shaofei · Junying, Chen · Zhang, Siyu · 张宪 · 何军 · Liu, Zongwen · 王建涛 · 刘艳平

ACS Nano 2026

技术优势

压力可动态调控界面耦合

通过施加压力可以连续改变单层WSe₂与Fe₃GaTe₂之间的层间耦合强度，进而调控激子行为。

压力诱导低能特征峰

在升高的压力下，WSe₂中出现一个新的低能特征，该特征被界面耦合强烈调制。

激子位移转变可调控

压力驱动激子主导辐射路径从K-K向K-Q转变，实现激子能量位移的多级调控。

应用场景

• 磁性范德华异质结：为磁性范德华异质结提供压力调控界面耦合的新手段。
• 压力调控光电子器件：压力调控激子跃迁，可用于开发可调光电子器件。
• 量子器件：声子边带调控为量子器件中电子-声子耦合工程提供途径。