Fe₇S₈@MoS₂突触异质结构

大面积阵列制备

缺陷调制的Fe₇S₈@MoS₂异质结构经硫化-种子协同生长策略实现晶圆级阵列化,并垂直集成出可模拟视觉暂留的突触芯片。

Yao, Deng · Liu, Shenghong · Manshi, Li · Zhang, Na · Feng, Yiming · 韩俊波 · Kapitonov, Yu V. · 李元 · 翟天佑

Chip 2024

技术优势

能晶圆级阵列化

硫化-种子协同生长策略实现了Fe₇S₈@MoS₂异质结构的大面积阵列制备,为大规模集成提供基础。

垂直集成出芯片

开发了三维垂直集成技术,用于阵列化光电突触芯片的制备。

能模拟视觉暂留

阵列芯片成功模拟了人眼的视觉暂留功能,展示了在视觉感知处理中的潜力。

提升图像识别效率

突触器件复现人类视觉系统的预处理功能,显著降低了噪声并提高了图像识别效率。

应用场景