可切换晶体反演对称破缺的SRO膜

SOT效率提升超60%

在SrRuO3薄膜中实现由铁电极化可逆调控的晶体反演对称破缺，从而大幅提高自旋轨道矩效率，为低功耗自旋电子器件提供高效SOT源层。

Zheng, Zhenyi · Shi, Shu · Liu, Zhongran · 周国伟 · Chen, Qian · Zhang, Cheng · Zhanqi, Zhou · Zhao, Tieyang · Rui, Xiao · Liu, Liang · Tsymbal, Evgeny · 许小红 · 田禾 · Chen, Jingsheng

Advanced Materials 2026

具体参数

自旋轨道矩效率提升

>60 %

技术优势

效率提升超60%

晶体反演对称破缺的存在大幅增强了SrRuO3层中的自旋轨道矩效率，为高效SOT源层提供了新途径。

可逆调控

晶体反演对称破缺可由相邻铁电材料的极化方向可逆地开关，为动态调控SOT提供了可能。

应用场景

• 低功耗自旋电子器件：提供高效的SOT源层，降低器件写入功耗。
• 磁随机存储器：提升写入效率，有望实现更低能耗的磁存储。
• 自旋轨道矩器件：通过可逆晶体ISB动态调控SOT效率。