富铝空位 NiAl 氢氧化物

析氧过电位降 110 mV

水热法在 NiAl 层状双氢氧化物中诱导出高浓度 Al 阳离子空位,相比传统电化学刻蚀将 Al 浸出效率从 24% 提升至 44%,结构畸变拓宽 eg* 能带,加速电子转移,显著提升析氧反应催化活性。

Li, Junhua · Wu, Chao · Zhang, Qi · 王震 · Tang, Ying · Zhang, Yiming · Ma, Rui · Yu, Zhigen · Xi, Shibo · Xue, Junmin · 王小鹏 · 吴家刚

ACS Applied Materials & Interfaces 2024

具体参数

Al浸出效率
{'zh': '44', 'en': '44'} %
过电位降低
{'zh': '110', 'en': '110'} mV

技术优势

浸出效率翻倍

Al浸出效率从传统方法的24%提升到44%,意味着催化剂中形成更多阳离子空位。

过电位更低

在10 A/g电流密度下过电位降低110 mV,析氧反应能耗更低。

应用场景