双相MgCd铁氧体-钛酸钡复相陶瓷

GHz频段低损高介

通过调节铁氧体与钛酸钡比例,在保持低磁/介电损耗的同时提高介电常数,兼顾天线小型化与高品质因数。

Gongwen, Gan · Yaqin, Yin · 郑宗良 · Yunjing, Wang · Zhang, Xi · Gaojie, Zou · Zhongyin, Zhu · 苟国庆

Ceramics International 2023

具体参数

饱和磁化强度
{'zh': '35.9–47.5', 'en': '35.9–47.5'} emu/g
矫顽力
{'zh': '0–150', 'en': '0–150'} Oe
磁损耗
{'zh': '10⁻²', 'en': '10⁻²'}
介电损耗
{'zh': '10⁻²–10⁻³', 'en': '10⁻²–10⁻³'}

技术优势

介电损耗低至10⁻³

钛酸钡的引入使介电常数提升,同时介电损耗控制在10⁻²到10⁻³,保障高Q值。

磁损耗保持在10⁻²

复相陶瓷的磁损耗 tan δμ 维持在10⁻²水平,不会成为天线效率的短板。

介电常数可调

通过改变钛酸钡含量(0–12%),可以连续调节介电常数,适应不同天线小型化需求。

应用场景