加工4H-SiC
通过阳极放电控制实现4H-SiC半导体材料的高精度加工,无需掩模即可获得无过切的高形状精度。
赵永华
Journal of Manufacturing Processes 2023
最佳表面粗糙度Ra 170 nm
1000 Hz高频AC下实现无过切的高形状精度