铂催化非研磨抛光件

晶圆级原子平滑

以铂催化水解反应刻蚀单晶硅,不靠塑性变形,表面无损伤。

Wenxiang, Peng · 彭小强 · Hu, Hao · Lai, Tao

Journal of Manufacturing Processes 2025

参数信息

表面粗糙度
0.043 nm Ra

技术优势

真正无损伤

纯水在铂催化下刻蚀硅,材料以原子形式被去除,没有塑性变形,也就没有亚表面损伤。

亚埃级粗糙度

优化参数后表面粗糙度降至0.043 nm Ra,并呈现完美的台阶-梯田结构。

中高频粗糙度被压低

周期波长小于1 mm的表面起伏也被有效降低,有利于提高镜面成像性能。

纯水抛光即可

抛光液仅为纯水,无需磨料或腐蚀性化学品,工艺洁净、成本低、废液易处理。

应用场景