晶圆级原子平滑
以铂催化水解反应刻蚀单晶硅,不靠塑性变形,表面无损伤。
Wenxiang, Peng · 彭小强 · Hu, Hao · Lai, Tao
Journal of Manufacturing Processes 2025
纯水在铂催化下刻蚀硅,材料以原子形式被去除,没有塑性变形,也就没有亚表面损伤。
优化参数后表面粗糙度降至0.043 nm Ra,并呈现完美的台阶-梯田结构。
周期波长小于1 mm的表面起伏也被有效降低,有利于提高镜面成像性能。
抛光液仅为纯水,无需磨料或腐蚀性化学品,工艺洁净、成本低、废液易处理。