介电常数921
通过近边缘等离子体处理，在极化疲劳导致铁电性消失后，获得有序氧空位的畸变正交相，实现超高介电常数与近100%储能效率。
张迪 · 汤其 · 金玮 · 成岩 · 李冰 · 陈时友 · Chen, Zibin · 江安全
Nature Communications 2025
极化疲劳后铁电性消失，形成畸变正交相和有序氧空位，介电常数达到921，远高于典型HfO2基材料的~52。
能量密度584 J/cm³的同时效率接近100%，意味着充电放电过程几乎没有能量损失。
基于HfO2的材料与互补金属氧化物半导体工艺兼容，可集成到几纳米尺度的器件中。
电荷存储密度349 μC/cm²，适用于高存储密度动态随机存取存储器。