钼空位NiCo/MoS₂异质结构

OER过电位仅256 mV

钼空位显著增强界面电子转移,将决速步骤从去质子化转为羟基耦合,从而降低析氧反应能垒。

Zhang, Ruiqian · Ceneng, Chen · 罗勇 · Xu, Ke · Amir, Said · 陈昆峰 · Komarneni, Sridhar · 杨春雷 · Xue, Dongfeng

Small 2026

具体参数

析氧反应过电位
{'zh': '256', 'en': '256'} mV
Tafel斜率
{'zh': '68.5', 'en': '68.5'} mV dec⁻¹
电解槽电压(1 A cm⁻²)
{'zh': '2.11', 'en': '2.11'} V
运行稳定性
{'zh': '300', 'en': '300'} h

技术优势

决速步骤被改变

Mo空位调节*O中间体的吸附能,将电位决定步骤从去质子化转为羟基耦合,从而加快OER动力学。

碱性电解槽实测达标

在60°C碱性电解槽中,该电极达到1 A cm⁻²仅需2.11 V,验证了工业级电流密度下的潜力。

长期运行稳定

在碱性电解槽中连续运行超过300小时,表现出优异的耐久性。

应用场景