In&Se共掺Mg₃Sb₁.₅Bi₀.₅

晶格热导率大幅降低

In和Se共掺杂同时优化电输运与热输运，使材料在中温区具备高热电优值。

Liu, Tong · Liao, Jiansong · Liu, Hang · Wang, Runyu · Yuan, Guocai · 姜晶 · 牛毅 · 雷晓波 · 黄丽宏 · 王超 · 张勤勇

Journal of Materiomics 2023

参数信息

热电优值zT（峰值）
1.64
热电优值zT（平均）
1.1
室温电导率（本征材料）
3 ×10² S/m

技术优势

电输运大幅提升

In和Se共掺杂显著提高了载流子浓度和迁移率，使功率因子明显改善。

晶格热导率大降

In与Mg之间的大原子质量差增强声子散射，显著降低晶格热导率。

中温区高效发电

平均zT约1.1（300–723 K），使该无毒性、低成本材料适用于中温热电器件。

应用场景