混合磁路双变量磁通记忆电机

磁通调节范围倍增且抗退磁

同时利用可变永磁磁通和可变漏磁通,在不增加成本的前提下拓展磁通调节范围,并保持高转矩和抗负载退磁能力。

Zeng, Xianxian · 林鹤云 · Zhong, Yuxiang · Xifang, Zhao · 阳辉 · 刘细平

IEEE Transactions on Transportation Electrification 2024

具体参数

磁通调节范围
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技术优势

磁通调节范围倍增

通过复用可变永磁磁通和可变漏磁通,在不增加成本的前提下将磁通调节范围扩大了一倍。

不增加成本

该设计无需额外部件或材料,仅通过磁路重构实现性能提升。

高转矩和抗退磁

在拓宽磁通调节范围的同时,保持了高转矩输出和抗负载退磁能力。

实验验证

制造并测试了样机,实验结果验证了设计的可行性。

应用场景