MoS₂光电探测器

零偏压高响应

通过飞秒激光局部照射形成的非对称肖特基接触，使对称结构的MoS₂探测器从光电导型转变为光电二极管型，实现自供电工作。

Jin, Peng · Zou Guisheng · Huo, Jinpeng · Xiao, Yu · Sun, Tianming · Zehua, Li · Feng, Bin · 刘雷

Nano Energy 2023

参数信息

整流比

10^4

零偏压响应度

1.72 A/W

短路电流

37.2 nA

最大输出功率

1.67 nW

技术优势

器件结构简单

无需复杂设计或持续外场，只需局部激光照射即可将对称接触变为不对称接触，实现自供电。

整流比大幅提升

器件从光电导型转变为光电二极管型，整流比从1提升至超过10^4，有利于抑制暗电流。

零偏压响应高

零偏压下响应度达1.72 A/W，短路电流37.2 nA，输出功率1.67 nW，可实现自供电探测。

应用场景

• 自供电传感器：无需外部电源即可工作，适合物联网中的能量采集传感器节点。
• 可见光传感：MoS₂带隙对应可见光，零偏压下即可探测可见光信号。