HfO₂/Al₂O₃双层氧化物

阻变层候选材料

通过原位电镜揭示双层界面缺陷与Al迁移的竞争机制,为优化阻变存储器提供直接的失效证据。

Ranjan, Alok · Xu, Hejun · 王超伦 · Molina, J. · 吴幸 · Hui, Zhang · 孙立涛 · Chu, Junhao · Pey, Kinleong

Applied Materials Today 2023

技术优势

实时观测切换过程

利用原位TEM结合EDS,在施加电应力的同时直接观察界面缺陷形成与元素迁移,厘清两种竞争机制。

明确失效根源

指出Al电极的低扩散势垒是导致Al严重迁移、器件无法复位的关键,为材料优化提供直接依据。

揭示竞争机制

揭示氧离子再分布与Al迁移两种物理机制在切换过程中同时存在并相互竞争。

应用场景