局部多晶硅接触TOPCon电池

效率26.09%并低银耗

采用钢网印刷超细栅线和激光图案化局部多晶硅接触设计，在工业级M10硅片上实现认证效率26.09%，同时大幅降低银浆消耗并保持高双面率。

Du, Haojiang · Weiming, Lu · An, Xinrui · Chen, Sheshicheng · Liu, Zunke · Shicheng, Guo · Xun, Fan · Mingming, Zhang · Shaojian, Fu · Liu, Wei · Jing, Qiu · Xiao, Chuanxiao · 应智琴 · Yang, Xi · 杨阵海 · 曾俞衡 · 叶继春

Joule 2026

具体参数

认证效率
{'zh': '26.09', 'en': '26.09'} %
双面率
{'zh': '90', 'en': '90'} %

技术优势

银耗大幅削减

用钢网印刷替换丝网印刷，栅线更细，银浆用量显著减少。

使接触电阻更低

优化的银浆在银硅界面形成致密银纳米颗粒，降低接触电阻。

双面发电能力高

局部多晶硅接触设计在优化载流子输运与寄生吸收的同时，双面率保持在约90%，利于实际发电。

应用场景