羟基修饰SnS₂光阳极

光电流8倍提升

表面硫空位与羟基协同，显著提升电荷分离与表面反应动力学。

Meng, Wang · Jianli, Chen · Zhang, Chengming · Huihui, Ding · Huanhuan, Wu · Xiang, Li · Huai, Shuangshuang · Tang, Zhi · 赵晓丽 · 刘和文 · 王秀芳

Journal of Catalysis 2025

具体参数

光电流密度

1.44 mA·cm⁻²

SnS

8.47 倍

技术优势

起始电位明显负移