磁场下响应提升413%
采用3D打印微螺旋阶梯结构结合MoTe2涂层,在弱磁场下实现频率选择性的高响应太赫兹探测。
Zhongze, Peng · Song, Qi · Yang, Jiachen · 张敏 · Hou, Shaodong · 张丙元 · Chen, Wei · 陆延青
Advanced Optical Materials 2024
在0.145 mT磁场下,光学响应度从3.32 MV/W提升至17.03 MV/W,相对提升413.23%。
噪声等效功率从49.16 pW/Hz^1/2降至9.58 pW/Hz^1/2,降幅80.51%。
传感器具有四个特征频率点,有效面积107.12 mm^2,适合多载波或频分复用探测。