175°C雪崩不失效
一种采用2.5°超浅斜边终端结构的GaN紫外雪崩光电二极管，通过降低台面侧壁电场有效抑制退化，在高温加速应力下仍保持稳定，为可靠盖革模式工作提供了新的鲁棒性基准。
Wangping, Wang · 邱晖晔 · Lan, Jinkai
IEEE Photonics Technology Letters 2026
超浅斜边结构大幅降低侧壁电场，因此器件在175°C加速雪崩应力下不失效，而常规结构在高温下直接发生破坏性击穿。
2.5°超浅斜边将台面侧壁的局部电场降至远低于常规12°结构的水平，从根源上抑制了陷阱辅助的电荷动态退化。
12°斜边结构的APD在应力测试中暴露出固有失稳，室温应力后雪崩电流增加，高温下直接发生破坏性击穿，而超浅斜边结构则表现出高稳定性。