冷等离子体改性RB-SiC陶瓷

室温生成SiO₂改性层

通过氧流冷等离子体工艺在室温下对RB-SiC陶瓷进行表面改性，生成SiO₂或C层及C–O、Si–C–O化合物，提升精密磨削表面质量。

Jiabin, Xu · 张强 · Runrun, Gu · Xiangyu, Zhang · Qiongyi, He · Xinhua, Liu · Rao, Xiaoshuang · 张龙 · 张飞虎

International Journal of Precision Engineering and Manufacturing 2023

技术优势

室温即可改性

采用冷大气压等离子体通过氧流在室温下对RB-SiC陶瓷表面进行改性，生成SiO2或C层等化合物，无需额外加热。

改善磨削表面

在精密磨削前对RB-SiC陶瓷进行表面改性，可改善加工表面质量，满足空间光学镜面的大尺寸非球面精密磨削需求。

应用场景

• 精密光学元件磨削：改性后精密磨削可获得更优表面光洁度。
• 硬脆陶瓷加工：室温改性降低硬脆陶瓷磨削难度。
• 表面改性：生成SiO2或C层及C–O、Si–C–O化合物。
• 空间光学反射镜：用于空间光学反射镜的精密磨削加工。