单晶硅激光辅助车削件

亚表面损伤深度减半

通过均匀化激光能量分布，显著抑制单晶硅加工中的亚表面损伤，为后续超精密抛光节省材料去除量。

Guohui, Li · Luo, Gangjie · Ou, Yang · 黄成 · Zhou, Jiafu · Guan, Chaoliang · Dai, Yifan · 彭小强 · Xiong, Yupeng

Journal of Materials Research and Technology 2026

参数信息

亚表面损伤深度

194 nm

技术优势

亚表面损伤抑制近六成

均匀温度分布消除了低温区冷切割和高温区原子堆积引起的应力集中，从根源上减少损伤。

后续抛光量可减少一半以上

损伤深度降至194 nm，不足传统工艺的一半，直接缩短超精密抛光的材料去除环节。

应用场景

• 单晶硅超精密加工：直接用于低损伤车削，省去部分磨削工序。
• 光学元件制造：减少抛光去除量，缩短光学元件制造周期。
• MEMS器件衬底：提供低亚表面损伤衬底，提高器件可靠性。
• 精密仪器硅零件：提升硅零件加工质量，减少后续精加工量。