表面晶界刻蚀网络结构
通过晶界腐蚀在CrCoNiFe合金表面构建交错网络结构，大幅增加催化活性位点暴露，同时形成25 nm羟基氧化物层作为真实活性中心，实验证明显著提升OER和UOR性能。
刘前程 · 赵峰 · 杨旭林 · Zhu, Jie · 杨苏东 · 陈林 · 赵鹏 · 王清远 · Zhang, Qian
Journal of Materials Science and Technology 2024
晶界被严重腐蚀形成交错网络，促进活性位点暴露和气泡释放，从而提升电催化性能。
表面25 nm羟基氧化物层作为真正的活性中心，同时改善润湿性，无需外加涂层。
双电极电解槽在10 mA/cm²下仅需1.485 V，显著低于传统水电解，节省电力。
在10 mA/cm²下连续运行100小时，电压下降仅27.6 mV，表现出优异的长期稳定性。