Nd掺杂BaSnO₃透明导电薄膜

低电阻高透明

与常规透明导电氧化物相比，该薄膜在保持高可见光透明度的同时，通过钕掺杂和厚度调控实现了超低电阻率。

Hui Z. · Ziyang, Jin · Zhang, Chensong · 左绪忠 · 王沿平 · Ye X. · Li, Wanyun · 柯香 · 李子荣 · Xuchun, Wang · 杨杰

Journal of Solid State Chemistry 2026

具体参数

电阻率

{'zh': '1.38', 'en': '1.38'} mΩ cm

载流子浓度

{'zh': '1.93×10^20', 'en': '1.93×10^20'} cm−3

迁移率

{'zh': '23.38', 'en': '23.38'} cm2 V−1 s−1

电阻率

{'zh': '0.45', 'en': '0.45'} mΩ cm

迁移率

{'zh': '122.19', 'en': '122.19'} cm2 V−1 s−1

技术优势

电阻率低至0.45 mΩ cm

通过增加膜厚至520 nm，电阻率从1.38 mΩ cm降至0.45 mΩ cm，同时迁移率大幅提升。

可见-近红外透过率超80%

除520 nm样品外，其余样品在可见光和近红外（1100–1900 nm）平均透过率均超过80%。

无需真空制备

采用溶胶-凝胶法在N₂气氛下生长，避免使用昂贵的真空沉积设备，适合实验室批量制备。

应用场景

• 透明电极：替代ITO，作为低电阻透明电极。
• 光电探测器：用于光电探测器透明导电层，提高响应。
• OLED阳极：用作OLED阳极，降低驱动电压。
• 钙钛矿太阳能电池透明电极：作为钙钛矿太阳能电池透明电极，提升效率。