Nd掺杂BaSnO₃透明导电薄膜

低电阻高透明

与常规透明导电氧化物相比，该薄膜在保持高可见光透明度的同时，通过钕掺杂和厚度调控实现了超低电阻率。

Hui Z. · Ziyang, Jin · Zhang, Chensong · 左绪忠 · 王沿平 · Ye X. · Li, Wanyun · 柯香 · 李子荣 · Xuchun, Wang · 杨杰

Journal of Solid State Chemistry 2026

参数信息

电阻率
1.38 mΩ cm
载流子浓度
1.93×10^20 cm−3
迁移率
23.38 cm2 V−1 s−1
电阻率
0.45 mΩ cm
迁移率
122.19 cm2 V−1 s−1

技术优势

电阻率低至0.45 mΩ cm

通过增加膜厚至520 nm，电阻率从1.38 mΩ cm降至0.45 mΩ cm，同时迁移率大幅提升。

可见-近红外透过率超80%

除520 nm样品外，其余样品在可见光和近红外（1100–1900 nm）平均透过率均超过80%。

无需真空制备

采用溶胶-凝胶法在N₂气氛下生长，避免使用昂贵的真空沉积设备，适合实验室批量制备。

应用场景