单晶碳化硅抛光法

去除率提高63.8%

通过电化学阳极氧化与磁流变柔性去除协同作用，实现单晶碳化硅表面氧化物的高效去除与无损超光滑加工。

Lin, Junqiang · 阎秋生 · 潘继生 · Lijie, Wu · Kaiyuan, Luo · Jingyuan, Zheng

Wear 2025

参数信息

材料去除率

484.95 μm³/min

MRR最大提升率

63.80 %

技术优势

效率提升明显

电化学氧化生成较易去除的氧化产物，配合磁流变微磨头柔性去除，材料去除率较对比方法提升63.80%。

损伤可控

磁流变抛光以柔性接触方式去除材料，较硬质磨粒直接压入式研磨，能减轻表面机械损伤。

应用场景

• 碳化硅晶圆超精密加工：替代传统研磨工艺，高效加工碳化硅晶圆并减少亚表面损伤。
• 半导体衬底抛光：提供机械损伤少的超光滑表面，适用于半导体衬底的最终抛光。