四层电容耦合EIT传感器

脑卒中成像误差降45.7%

不接触皮肤即可聚焦颅内深部信号，相比传统电容耦合EIT传感器，成像误差和定位误差均大幅下降。

Weiming, Li · Zhang, Maomao · Shi, Yanyan · Jiang, Yandan · Soleimani, Manuchehr · 冀海峰 · 王保良

Measurement: Journal of the International Measurement Confederation 2025

参数信息

最大相对图像误差降低

45.7 %

最大定位误差降低

31.2 %

技术优势

深部卒中更敏感

聚焦电极层（4个大电极）引导信号深入颅内，检测电极层（24个小电极）捕获定向颅内阻抗信号，相比传统CCEIT对深部卒中灵敏度显著提高。

成像与定位误差双降

与传统电容耦合EIT相比，最大相对图像误差降低45.7%，最大定位误差降低31.2%，图像质量显著提升。

完全无接触

采用电容耦合原理进行非接触测量，无需电极-皮肤接触，减少皮肤准备时间与感染风险。

应用场景

• 脑卒中监测：早期无创检测深部脑卒中，指导及时治疗。
• 便携式医学成像：无需医院大型设备，实现床旁快速脑部成像。
• 可穿戴医疗设备：非接触设计可集成到头戴设备，连续监测脑部状态。
• 生物电阻抗成像：提供高灵敏度生物电阻抗成像，提升深部组织成像质量。