HZO铁电栅叠层

电荷俘获驱动存储窗口

利用铁电/绝缘层界面的电荷俘获效应主导存储窗口，而非消除之，为FeFET非易失存储器提供新路径。

Bao, Zhang · 洪培真 · Hou, Jingwen · 霍宗亮 · 叶甜春

Journal of Applied Physics 2023

参数信息

SiO2 最优厚度

2.5 nm

技术优势

存储窗口由电荷俘获主导

在TiN/HZO/SiO2/p-Si结构中，电荷俘获效应是产生存储窗口的主要物理机制，而非铁电极化。

2.5 nm SiO2 最优

该厚度下电荷隧穿效应最佳，器件获得最大的存储窗口。

应用场景

• FeFET存储器：提供基于电荷俘获的新存储机制，可替代传统铁电极化型FeFET。
• 低功耗逻辑器件：非易失存储能力可降低逻辑电路的待机功耗。
• 高k栅介质：HZO作为高k介质与SiO2叠层，优化隧穿以增强电荷俘获。
• 嵌入式非易失存储：该栅叠层结构可直接嵌入CMOS工艺，实现嵌入式的非易失存储。