55nm CMOS太赫兹探测器

437.6 V/W响应度

针对2.58 THz频段设计多结构CMOS探测器芯片，通过优化拓扑结构提升响应度并降低噪声等效功率，实现高清晰太赫兹成像。

张新 · 傅海鹏 · Ma, Kaixue · 闫宁宁 · Liu, Yaxuan · Huang, Jiancheng

IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology 2024

参数信息

最大响应度

437.6 V/W

最小噪声等效功率

119 pW/Hz1/2

工作频率

2.58 THz

技术优势

多结构集成优化

单一芯片上集成八种不同结构的探测器，便于系统比较寄生电容、阻抗匹配和不对称性的影响，为优化提供依据。

验证成像效果

对装有螺丝的信封进行扫描成像，螺丝和不同厚度处的折痕细节清晰可见，证明其实用性。

应用场景

• 太赫兹成像：高响应度探测器提升成像信噪比，可清晰呈现隐藏物品细节。
• 无损检测：可非接触探测内部结构，如信封内螺丝，无需拆解。
• 安检成像：对隐蔽物品成像清晰，可用于安检中快速识别危险品。
• 工业检测：在线检测产品内部缺陷，提高生产质量与效率。