4.6 V 稳定循环
通过元素硒的深度晶界修饰,在超高电压下实现层状正极的稳定运行,并提出牺牲保护机制。
Yan, Zhu · Jian, Fu · Hu, Jingwei · Xinxiong, Zeng · Zhengjie, Huang · Bing, Zhang · Li, Xiaocheng · 73214841 · 王宁 · 陈西浩
Journal of Energy Chemistry 2026
通过元素硒的深度晶界修饰形成三维富硒保护层,在高电压下抑制晶格氧释放和晶胞收缩,从而实现稳定循环。
在软包电池中评估其性能,证明该材料在实际电池构型下仍能保持高电压稳定性。
通过分子动力学模拟揭示硒富集层的慢性分解牺牲保护机制,为材料设计提供理论依据。
该深度晶界修饰方法为解决全固态电池的界面接触问题提供了科学依据和技术支持。