高电子亲和能分子半导体

微量提升耐压

通过引入深能级陷阱抑制载流子输运，该分子半导体在极低掺量下即可显著提升聚合物复合材料的绝缘性能。

Li, Jie · 张博雅 · Chenhao, Jia · Yixuan, He · Liwen, Liang · Cibin, Zhao · Li, Kaixuan · Jiao, Jiao · 李兴文

Composites Part B: Engineering 2026

具体参数

直流击穿强度

{'zh': '237.72', 'en': '237.72'} kV mm⁻¹

技术优势

极低掺量即可大幅提升耐压

添加仅0.05 wt%的高电子亲和能分子半导体，复合材料在120 °C下的直流击穿强度从153.83 kV mm⁻¹提升至237.72 kV mm⁻¹。

深陷阱捕获载流子

分子半导体引入的深能级陷阱能够有效捕获载流子，抑制电荷输运，从而降低漏电流并提升绝缘性能。

应用场景

• 高温高压绝缘材料：在高温高压下保持高击穿强度，替代传统耐热绝缘材料。
• 聚合物基电介质复合材料：作为功能性填料，以极低掺量显著提升聚合物基体的绝缘性能。
• 电力设备绝缘：提升电力设备绝缘材料的耐压等级，延长高温工况下的使用寿命。