4H-SiC原子级去除
利用水下纳秒激光辐照产生空化效应，辅助化学机械抛光，实现4H-SiC晶圆原子级材料去除，解决了其因高硬度和化学惰性导致的抛光效率低的问题。
Zirui, Wang · 朱玉广 · Yang, Peng · Tianyu, Zhang · 王永光 · Qingsheng, Liu · 贺海东 · 王传洋
Optics and Laser Technology 2025
水下纳秒激光辐照预处理在碳化硅表面产生改性层，使后续CMP的材料去除率提高。
该工艺能够实现原子级材料去除，获得极低的表面粗糙度。