疲劳强度提升24%
无需再结晶即可形成高稳定CSL晶界,显著提高抗疲劳与抗裂纹扩展能力。
钱东升 · Rongcheng, Wang · Wang, Huiling · Jiancheng, Chen · 李蓓 · 王丰
Journal of Materials Science and Technology 2027
电磁冲击处理通过选择性晶界重构,避免了传统热机械加工引起的相变和微观组织改变。
形成的CSL晶界具有显著更高的分离功和理论强度,抑制疲劳裂纹萌生。
新形成的CSL晶界阻碍裂纹扩展,断裂模式由沿晶断裂转变为穿晶断裂。