底栅工程化 IGZO 薄膜晶体管

氢扩散长度缩减至0.26 μm

通过对底栅氧化物进行 N₂O 等离子体处理，抑制氢向 a-IGZO 沟道的扩散，有效缓解短沟道效应，提升器件可靠性。

Zhou, Kuanju · Chang, Tingchang · Po-Yu, Yen · Chen, Yuan · Chien, Yating · Huang, Boshen · Po-Yi, Lee · Tzu-Hsuan, Juan · Sze, Simon Ming · Fan, Yangshun · Huang, Chenshuo · Tsai, Chihhung

IEEE Electron Device Letters 2024

参数信息

横向氢扩散长度从

1.44 μm

技术优势

电流应力稳定性测试表明可靠性得到改善

电流-电压和电容-电压结果证实短沟道效应得到抑制