无添加剂SiC

耐辐照损伤

揭示了碳化硅在高温辐照下的自修复机制，为核用结构材料提供了损伤容限更高的选择。

Chai, Jianlong · Niu, Lijuan · 朱亚滨 · Jin, Peng · 申铁龙 · Yuhan, Zhai · Feng, Yucheng · 孙良亭 · Wang, Zhiguang

Journal of the European Ceramic Society 2024

参数信息

非晶化剂量
1.2 dpa
辐照温度
500 °C
离子能量
15.9 MeV

技术优势

临界非晶化剂量高

在室温下非晶化剂量约为1.2 dpa，优于许多报道的SiC。

高温下肿胀减少

500 °C辐照时晶格肿胀减小，无序得到恢复。

瞬态热峰诱导缺陷退火

高电子能损引起的瞬态热峰促进缺陷退火，并形成Frank环，有助于延缓损伤积累。

应用场景